SIRA02DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIRA02DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA02DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA02DP даташит

 ..1. Size:159K  vishay
 sira02dp.pdf pdf_icon

SIRA02DP

New Product SiRA02DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00200 at VGS = 10 V Material categorization 50 30 34.3 nC For definitions of compliance please see 0.00270 at VGS = 4.5 V 50 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

 9.1. Size:172K  vishay
 sira00dp.pdf pdf_icon

SIRA02DP

SiRA00DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00100 at VGS = 10 V Material categorization 100 30 66 nC For definitions of compliance please see 0.00135 at VGS = 4.5 V 100 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8 APPLICATIO

 9.2. Size:180K  vishay
 sira01dp.pdf pdf_icon

SIRA02DP

SiRA01DP www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET D 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

 9.3. Size:508K  vishay
 sira04dp.pdf pdf_icon

SIRA02DP

New Product SiRA04DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00215 at VGS = 10 V Material categorization 40 30 22.5 nC For definitions of compliance please see 0.00310 at VGS = 4.5 V 40 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIR880ADP, SIR880DP, SIR882ADP, SIR882DP, SIR888DP, SIR890DP, SIR892DP, SIRA00DP, AON7403, SIRA04DP, SIRA06DP, SIRA10DP, SIRA12DP, SIRA14DP, SIRA18DP, APT1001R6BFLLG, APT1001R6SFLLG