Справочник MOSFET. SIRA02DP

 

SIRA02DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIRA02DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1615 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIRA02DP

 

 

SIRA02DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  vishay
 sira02dp.pdf

SIRA02DP SIRA02DP

New ProductSiRA02DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00200 at VGS = 10 V Material categorization:5030 34.3 nCFor definitions of compliance please see0.00270 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

 9.1. Size:172K  vishay
 sira00dp.pdf

SIRA02DP SIRA02DP

SiRA00DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00100 at VGS = 10 V Material categorization:10030 66 nCFor definitions of compliance please see0.00135 at VGS = 4.5 V 100www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIO

 9.2. Size:180K  vishay
 sira01dp.pdf

SIRA02DP SIRA02DP

SiRA01DPwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

 9.3. Size:508K  vishay
 sira04dp.pdf

SIRA02DP SIRA02DP

New ProductSiRA04DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00215 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.00310 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

 9.4. Size:187K  vishay
 sira06dp.pdf

SIRA02DP SIRA02DP

New ProductSiRA06DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0025 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.0035 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top