Справочник MOSFET. APT10040LVFRG

 

APT10040LVFRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT10040LVFRG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 415 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-264

 Аналог (замена) для APT10040LVFRG

 

 

APT10040LVFRG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  apt
 apt10040b2vfrg apt10040lvfrg.pdf

APT10040LVFRG APT10040LVFRG

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRFREDFETPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identica

 4.1. Size:75K  apt
 apt10040lvr.pdf

APT10040LVFRG APT10040LVFRG

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

 6.1. Size:39K  apt
 apt10040b2vfr.pdf

APT10040LVFRG APT10040LVFRG

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRPOWER MOS V FREDFETT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identical

 6.2. Size:37K  apt
 apt10040b2vr.pdf

APT10040LVFRG APT10040LVFRG

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top