Справочник MOSFET. APT10040LVR

 

APT10040LVR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT10040LVR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 415 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-264

 Аналог (замена) для APT10040LVR

 

 

APT10040LVR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  apt
apt10040lvr.pdf

APT10040LVR
APT10040LVR

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

 4.1. Size:76K  apt
apt10040b2vfrg apt10040lvfrg.pdf

APT10040LVR
APT10040LVR

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRFREDFETPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identica

 6.1. Size:39K  apt
apt10040b2vfr.pdf

APT10040LVR
APT10040LVR

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRPOWER MOS V FREDFETT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identical

 6.2. Size:37K  apt
apt10040b2vr.pdf

APT10040LVR
APT10040LVR

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top