APT31M100L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT31M100L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 260 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-264
APT31M100L Datasheet (PDF)
apt31m100b2 apt31m100l.pdf

APT31M100B2 APT31M100L 1000V, 32A, 0.38 MaxN-Channel MOSFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and
apt31n80jc3.pdf

APT31N80JC3800V 31A 0.145Super Junction MOSFETCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON)"UL Recognized" Low Miller CapacitanceISOTOP Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy RatedG N-Channel Enhancement Mode Popular SOT-227 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Paramete
apt31n60bcsg apt31n60scsg.pdf

FINAL DATA SHEET 600V 31A 0.100 APT31N60BCS APT31N60SCS APT31N60BCSG* APT31N60SCSG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. Super Junction MOSFET (B)COOLMOSPower SemiconductorsD3PAK Ultra Low RDS(ON) (S) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg D Avalanche Energy Rated Extreme dv/dt RatedG Popular TO-247 or Surface M
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HBS170 | APM9926CCG | WMN90R360S | IRLHM630TRPBF | SFP730 | IPB019N08N5 | MEM564C
History: HBS170 | APM9926CCG | WMN90R360S | IRLHM630TRPBF | SFP730 | IPB019N08N5 | MEM564C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet