Справочник MOSFET. APT4012SVFRG

 

APT4012SVFRG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT4012SVFRG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT4012SVFRG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  apt
apt4012bvfrg apt4012svfrg.pdfpdf_icon

APT4012SVFRG

APT4012BVFRAPT4012SVFR400V 37A 0.120BVFRFREDFETPOWER MOS VD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,SVFRincreases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 7.1. Size:65K  apt
apt4012bvr.pdfpdf_icon

APT4012SVFRG

APT4012BVR400V 37A 0.120POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 8.1. Size:52K  apt
apt4016bn.pdfpdf_icon

APT4012SVFRG

DTO-247GAPT4016BN 400V 31.0A 0.16SAPT4018BN 400V 29.0A 0.18POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 4016BN 4018BN UNITVDSS Drain-Source Voltage400 400 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C31 29AmpsIDM Pulsed Drain Current 1124 116

 8.2. Size:64K  apt
apt4014bvr.pdfpdf_icon

APT4012SVFRG

APT4014BVR400V 28A 0.140POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2060K. | AM90P03-03P | IXFN73N30Q

 

 
Back to Top

 


 
.