APT4012SVFRG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT4012SVFRG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
Аналог (замена) для APT4012SVFRG
APT4012SVFRG Datasheet (PDF)
apt4012bvfrg apt4012svfrg.pdf

APT4012BVFRAPT4012SVFR400V 37A 0.120BVFRFREDFETPOWER MOS VD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,SVFRincreases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt4012bvr.pdf

APT4012BVR400V 37A 0.120POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L
apt4016bn.pdf

DTO-247GAPT4016BN 400V 31.0A 0.16SAPT4018BN 400V 29.0A 0.18POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 4016BN 4018BN UNITVDSS Drain-Source Voltage400 400 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C31 29AmpsIDM Pulsed Drain Current 1124 116
apt4014bvr.pdf

APT4014BVR400V 28A 0.140POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L
Другие MOSFET... APT38F80B2 , APT38F80L , APT38M50J , APT38N60BC6 , APT38N60SC6 , APT39F60J , APT39M60J , APT4012BVFRG , IRFB4227 , APT4014BVFRG , APT4014SVFRG , APT4016BVFRG , APT4016SVFRG , APT4018BN , APT4020BVFRG , APT4065BN , APT4080BN .
History: CS4J60A3-G | MS7N60 | PM2301 | BLF884PS | 2SK1750-Z | STP10N80K5
History: CS4J60A3-G | MS7N60 | PM2301 | BLF884PS | 2SK1750-Z | STP10N80K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet