APT4020BVFRG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT4020BVFRG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT4020BVFRG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT4020BVFRG даташит
apt4020bvfrg.pdf
400V 23A 0.20 APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. BVFR FREDFET POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement D3PAK mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVF
apt4020bvfr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT4020BVFR FEATURES Drain Current I =23A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
apt4020bvr.pdf
APT4020BVR 400V 23A 0.200 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower
apt4020bn.pdf
D TO-247 G APT4020BN 400V 26.0A 0.20 S APT4025BN 400V 23.0A 0.25 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 4020BN 4025BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 400 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 26 23 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 104 92
Другие IGBT... APT39M60J, APT4012BVFRG, APT4012SVFRG, APT4014BVFRG, APT4014SVFRG, APT4016BVFRG, APT4016SVFRG, APT4018BN, 7N65, APT4065BN, APT4080BN, APT40M35JVFR, APT40M70B2VFRG, APT40M70JVFR, APT40M70LVFRG, APT40N60B2CF, APT40N60LCF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904



