APT40M35JVFR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT40M35JVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для APT40M35JVFR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT40M35JVFR даташит
apt40m35jvfr.pdf
APT40M35JVFR 400V 93A 0.035 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V "UL Recognized" also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ISOTOP Faster
apt40m35jvr.pdf
APT40M35JVR 400V 93A 0.035 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche
apt40m35pvr.pdf
APT40M35PVR 400V 89A 0.035 POWER MOS V P-Pack Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower
apt40m42jn.pdf
D G APT40M42JN 400V 86A 0.042 S "UL Recognized" File No. E145592 (S) ISOTOP POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT Symbol Parameter 40M42JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 86 Amps IDM, lLM Pulse
Другие IGBT... APT4014BVFRG, APT4014SVFRG, APT4016BVFRG, APT4016SVFRG, APT4018BN, APT4020BVFRG, APT4065BN, APT4080BN, IRF9540, APT40M70B2VFRG, APT40M70JVFR, APT40M70LVFRG, APT40N60B2CF, APT40N60LCF, APT41F100J, APT41M80B2, APT41M80L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640










