Справочник MOSFET. APT41F100J

 

APT41F100J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT41F100J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT41F100J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT41F100J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  microsemi
 apt41f100j.pdf pdf_icon

APT41F100J

APT41F100J 1000V, 42A, 0.20 Max, trr 400nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

 9.1. Size:212K  microsemi
 apt41m80b2 apt41m80l.pdf pdf_icon

APT41F100J

APT41M80B2 APT41M80L 800V, 43A, 0.21 MaxN-Channel MOSFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and cap

Другие MOSFET... APT4065BN , APT4080BN , APT40M35JVFR , APT40M70B2VFRG , APT40M70JVFR , APT40M70LVFRG , APT40N60B2CF , APT40N60LCF , IRF4905 , APT41M80B2 , APT41M80L , APT42F50B , APT42F50S , APT43F60B2 , APT43F60L , APT43M60B2 , APT43M60L .

History: ATM3400ANSA | CEF12N6 | GSM8822S | PMDPB56XN | AFN3406 | GP1M016A060XX | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.