Справочник MOSFET. APT41M80B2

 

APT41M80B2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT41M80B2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 805 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT41M80B2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT41M80B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt41m80b2 apt41m80l.pdf pdf_icon

APT41M80B2

APT41M80B2 APT41M80L 800V, 43A, 0.21 MaxN-Channel MOSFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and cap

 9.1. Size:213K  microsemi
 apt41f100j.pdf pdf_icon

APT41M80B2

APT41F100J 1000V, 42A, 0.20 Max, trr 400nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

Другие MOSFET... APT4080BN , APT40M35JVFR , APT40M70B2VFRG , APT40M70JVFR , APT40M70LVFRG , APT40N60B2CF , APT40N60LCF , APT41F100J , 5N60 , APT41M80L , APT42F50B , APT42F50S , APT43F60B2 , APT43F60L , APT43M60B2 , APT43M60L , APT44F80B2 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.