APT41M80B2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT41M80B2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 805 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT41M80B2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT41M80B2 даташит

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt41m80b2 apt41m80l.pdf pdf_icon

APT41M80B2

APT41M80B2 APT41M80L 800V, 43A, 0.21 Max N-Channel MOSFET T-Ma xTM TO-264 Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and cap

 9.1. Size:213K  microsemi
 apt41f100j.pdf pdf_icon

APT41M80B2

APT41F100J 1000V, 42A, 0.20 Max, trr 400ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

Другие IGBT... APT4080BN, APT40M35JVFR, APT40M70B2VFRG, APT40M70JVFR, APT40M70LVFRG, APT40N60B2CF, APT40N60LCF, APT41F100J, IRLB4132, APT41M80L, APT42F50B, APT42F50S, APT43F60B2, APT43F60L, APT43M60B2, APT43M60L, APT44F80B2