APT42F50S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT42F50S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: D3PAK

Аналог (замена) для APT42F50S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT42F50S даташит

 ..1. Size:213K  microsemi
 apt42f50b apt42f50s.pdf pdf_icon

APT42F50S

APT42F50B APT42F50S 500V, 42A, 0.13 Max, trr, 260ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. L

 6.1. Size:375K  inchange semiconductor
 apt42f50b.pdf pdf_icon

APT42F50S

isc N-Channel MOSFET Transistor APT42F50B FEATURES Drain Current I = 42A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.13 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие IGBT... APT40M70JVFR, APT40M70LVFRG, APT40N60B2CF, APT40N60LCF, APT41F100J, APT41M80B2, APT41M80L, APT42F50B, IRFP260, APT43F60B2, APT43F60L, APT43M60B2, APT43M60L, APT44F80B2, APT44F80L, APT4530AN, APT45M100J