Справочник MOSFET. APT47N60BCFG

 

APT47N60BCFG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT47N60BCFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1735 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT47N60BCFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  apt
apt47n60bcfg.pdfpdf_icon

APT47N60BCFG

FINAL DATA SHEET 600V 46A 0.083 APT47N60BCF APT47N60SCF APT47N60BCFG* APT47N60SCFG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. Super Junction FREDFET (B)COOLMOSPower SemiconductorsD3PAK Ultra Low RDS(ON) Intrinsic Fast-Recovery Body Diode(S) Low Miller Capacitance Extreme Low Reverse Recovery Charge Ultra Low Gate Charge, Qg Ideal For Z

 4.1. Size:168K  apt
apt47n60bc3.pdfpdf_icon

APT47N60BCFG

APT47N60BC3APT47N60SC3600V 47A 0.070Super Junction MOSFETD3PAKTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 or Surface Mount D3PAK PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT47N60BC3_SC3

 4.2. Size:225K  microsemi
apt47n60bc3g apt47n60sc3g.pdfpdf_icon

APT47N60BCFG

APT47N60BC3(G) APT47N60SC3(G)600V 47A 0.070Super Junction MOSFET D3PAK Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Popular TO-247 or Surface Mount D3 package.G RoHS Compliant SMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT47N60B

 4.3. Size:376K  inchange semiconductor
apt47n60bc3.pdfpdf_icon

APT47N60BCFG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT47N60BC3FEATURESDrain Current I =47A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.07(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SSF1016A | IRFPF22 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | R6076ENZ1 | IXFA14N60P | 2SK1849

 

 
Back to Top

 


 
.