APT5570AN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT5570AN
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO-3
Аналог (замена) для APT5570AN
APT5570AN Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... APT50M85LVFRG , APT50M85LVR , APT50N60JCCU2 , APT51F50J , APT51M50J , APT53F80J , APT53N60BC6 , APT53N60SC6 , 2SK3878 , APT56F50B2 , APT56F50L , APT56F60B2 , APT56F60L , APT56M50B2 , APT56M50L , APT56M60B2 , APT56M60L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent