APT58M50JCU2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT58M50JCU2  📄📄 

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT58M50JCU2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT58M50JCU2 даташит

 ..1. Size:108K  microsemi
 apt58m50jcu2.pdf pdf_icon

APT58M50JCU2

APT58M50JCU2 VDSS = 500V ISOTOP Boost chopper RDSon = 65m Max @ Tj = 25 C MOSFET + SiC chopper diode ID = 58A @ Tc = 25 C Power module Application K AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction D Brake switch Features Power MOS 8 MOSFET G - Low RDSon - Low input and Miller capacitance - Low gate ch

 3.1. Size:108K  microsemi
 apt58m50jcu3.pdf pdf_icon

APT58M50JCU2

APT58M50JCU3 VDSS = 500V ISOTOP Buck chopper RDSon = 65m Max @ Tj = 25 C MOSFET + SiC chopper diode ID = 58A @ Tc = 25 C Power module Application D AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Features Power MOS 8 MOSFET G - Low RDSon S - Low input and Miller capacitance - Low gate charge - Avalanche energy rated SiC Schottky D

 5.1. Size:119K  microsemi
 apt58m50j.pdf pdf_icon

APT58M50JCU2

APT58M50J 500V, 58A, 0.065 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon g

 8.1. Size:209K  microsemi
 apt58m80j.pdf pdf_icon

APT58M50JCU2

APT58M80J 800V, 60A, 0.10 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT56F60B2, APT56F60L, APT56M50B2, APT56M50L, APT56M60B2, APT56M60L, APT58F50J, APT58M50J, IRFP064N, APT58M50JCU3, APT58M80J, APT5F100K, APT6010B2FLLG, APT6010B2LLG, APT6010LFLLG, APT6010LLLG, APT6011B2VFRG