APT5F100K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT5F100K
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APT5F100K
APT5F100K Datasheet (PDF)
apt5f100k.pdf

APT5F100K1000V, 5A 2.8 Max, Trr 155nSN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power TO-220MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge
Другие MOSFET... APT56M50L , APT56M60B2 , APT56M60L , APT58F50J , APT58M50J , APT58M50JCU2 , APT58M50JCU3 , APT58M80J , 12N60 , APT6010B2FLLG , APT6010B2LLG , APT6010LFLLG , APT6010LLLG , APT6011B2VFRG , APT6011LVFRG , APT6013B2FLLG , APT6013B2LLG .
History: SRT10N022HTLTR-G | SIR850DP | 2SK1958 | HM45P02Q | 2SK1954 | FDB16AN08A0 | AP9967GM-HF
History: SRT10N022HTLTR-G | SIR850DP | 2SK1958 | HM45P02Q | 2SK1954 | FDB16AN08A0 | AP9967GM-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941