APT901R1AN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT901R1AN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-3
Аналог (замена) для APT901R1AN
APT901R1AN Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... APT80M60J , APT84F50B2 , APT84F50L , APT84M50B2 , APT84M50L , APT8M100B , APT8M100S , APT8M80K , RFP50N06 , APT901R1BN , APT901R1HN , APT901R3AN , APT901R3BN , APT901R3HN , APT901RBN , APT902R4BN , APT902RBN .
History: LNB10R040W3 | STD5N52K3 | KMB054N40DA | AON6280 | AON6240 | SIR808DP | NCEP039N10MD
History: LNB10R040W3 | STD5N52K3 | KMB054N40DA | AON6280 | AON6240 | SIR808DP | NCEP039N10MD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883