Справочник MOSFET. APT901R1AN

 

APT901R1AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT901R1AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT901R1AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  apt
apt901r1an apt901r3an.pdfpdf_icon

APT901R1AN

APT1001R1AN PCB24

 6.1. Size:346K  apt
apt901r1hn apt901r3hn.pdfpdf_icon

APT901R1AN

APT1001R1HN PCB24

 6.2. Size:166K  apt
apt901r1bn apt901r3bn.pdfpdf_icon

APT901R1AN

 7.1. Size:154K  apt
apt901rbn.pdfpdf_icon

APT901R1AN

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.