APT901R3BN datasheet, аналоги, параметры транзистора

APT901R3BN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT901R3BN 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-247

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APT901R3BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:166K apt
apt901r1bn apt901r3bn.pdf pdf_icon

6.1. Size:333K apt
apt901r1an apt901r3an.pdf pdf_icon

APT1001R1AN PCB 24

6.2. Size:346K apt
apt901r1hn apt901r3hn.pdf pdf_icon

APT1001R1HN PCB 24

7.1. Size:154K apt
apt901rbn.pdf pdf_icon