APT902RBN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT902RBN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-247
APT902RBN Datasheet (PDF)
apt904r2an apt904ran.pdf

"APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: ECH8410 | F11F60CPM | PSMN2R0-30PL | FTK630P | OSG60R670PF | DH028N03B | 2SK3738
History: ECH8410 | F11F60CPM | PSMN2R0-30PL | FTK630P | OSG60R670PF | DH028N03B | 2SK3738



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273