APT904R2BN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT904R2BN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT904R2BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT904R2BN даташит

 ..1. Size:163K  apt
 apt904r2bn apt904rbn.pdf pdf_icon

APT904R2BN

 6.1. Size:214K  apt
 apt904r2an apt904ran.pdf pdf_icon

APT904R2BN

"APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 9.1. Size:333K  apt
 apt901r1an apt901r3an.pdf pdf_icon

APT904R2BN

APT1001R1AN PCB 24

 9.2. Size:346K  apt
 apt901r1hn apt901r3hn.pdf pdf_icon

APT904R2BN

APT1001R1HN PCB 24

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT901R1HN, APT901R3AN, APT901R3BN, APT901R3HN, APT901RBN, APT902R4BN, APT902RBN, APT904R2AN, AON7410, APT904RAN, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6