APT904R2BN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: APT904R2BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ISCNH328W