APT904RBN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT904RBN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO-247
APT904RBN Datasheet (PDF)
apt904r2an apt904ran.pdf
"APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: OSG90R380HZF