APTC60HM70SCTG datasheet, аналоги, параметры транзистора

APTC60HM70SCTG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APTC60HM70SCTG 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: MODULE

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APTC60HM70SCTG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

APTC60HM70SCTG даташит

..1. Size:704K microsemi
aptc60hm70sctg.pdf pdf_icon

APTC60HM70SCTG VDSS = 600V Full Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction RDSon = 70m max @ Tj = 25 C MOSFET Power Module ID = 39A @ Tc = 25 C Application VBUS Motor control CR1A CR3A Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies CR1B CR3B Q1 Q3 Features CoolMOS G3 G1 - Ultra low RDSon OUT1 OUT2 S3 S1 - Low Mil

6.1. Size:236K microsemi
aptc60hm45sctg.pdf pdf_icon

APTC60HM45SCTG Full - Bridge VDSS = 600V Series & SiC parallel diodes RDSon = 45m max @ Tj = 25 C Super Junction ID = 49A @ Tc = 25 C MOSFET Power Module Application Motor control VBUS Switched Mode Power Supplies CR1A CR3A Uninterruptible Power Supplies Features CR1B CR3B Q1 Q3 G3 G1 - Ultra low RDSon OUT1 OUT2 S3 S1 - Low Miller capacit

8.1. Size:249K microsemi
aptc60skm24ct1g.pdf pdf_icon