Справочник MOSFET. RCJ120N25

 

RCJ120N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RCJ120N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: SC-83

 Аналог (замена) для RCJ120N25

 

 

RCJ120N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  rohm
 rcj120n25.pdf

RCJ120N25 RCJ120N25

RCJ120N25 Nch 250V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)235mWID12A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche tes

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj120n25.pdf

RCJ120N25 RCJ120N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ120N25FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 235m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:436K  rohm
 rcj120n20.pdf

RCJ120N25 RCJ120N25

RCJ120N20 Nch 200V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS200VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)325mWID12A(1) PD (3) 40WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche t

 6.2. Size:255K  inchange semiconductor
 rcj120n20.pdf

RCJ120N25 RCJ120N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ120N20FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top