Справочник MOSFET. RCX081N20

 

RCX081N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RCX081N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM

 Аналог (замена) для RCX081N20

 

 

RCX081N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  rohm
 rcx081n20.pdf

RCX081N20 RCX081N20

RCX081N20 Nch 200V 8.0A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS200VTO-220FMRDS(on) (Max.)770mWID8.0A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche testedlP

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx081n20.pdf

RCX081N20 RCX081N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX081N20FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.77(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 9.1. Size:1119K  rohm
 rcx080n20.pdf

RCX081N20 RCX081N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX080N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un

 9.2. Size:1211K  rohm
 rcx080n25.pdf

RCX081N20 RCX081N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETRCX080N25 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1) Low on-resistance.1.21.32) Low input capacitance.3) High ESD.0.82.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering uni

 9.3. Size:252K  inchange semiconductor
 rcx080n25.pdf

RCX081N20 RCX081N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX080N25FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top