RCX700N20 - описание и поиск аналогов

 

RCX700N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCX700N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0427 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для RCX700N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX700N20 даташит

 ..1. Size:481K  rohm
 rcx700n20.pdf pdf_icon

RCX700N20

RCX700N20 Nch 200V 70A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 200V TO-220FM RDS(on) (Max.) 42.7mW ID 70A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested lPa

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 rcx700n20.pdf pdf_icon

RCX700N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX700N20 FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 87m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , 13N50 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.