RCX700N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RCX700N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0427 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
Аналог (замена) для RCX700N20
RCX700N20 Datasheet (PDF)
rcx700n20.pdf

RCX700N20 Nch 200V 70A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS200VTO-220FMRDS(on) (Max.)42.7mWID70A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche testedlPa
rcx700n20.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX700N20FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 87m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , TK10A60D , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 .
History: MSQ6N40 | RDD022N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent