RFD3055. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RFD3055
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO251AA
Аналог (замена) для RFD3055
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RFD3055 даташит
rfd3055le rfd3055lesm rfp3055le.pdf
RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE Data Sheet January 2002 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 11A, 60V These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.107 manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Model technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI
rfd3055le rfd3055lesm.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
rfd3055-sm rfp3055.pdf
RFD3055, RFD3055SM S E M I C O N D U C T O R RFP3055 12A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs) February 1994 Features Packaging JEDEC TO-220AB 12A, 60V TOP VIEW rDS(ON) = 0.150 SOURCE Temperature Compensating PSPICE Model DRAIN Peak Current vs Pulse Width Curve GATE UIS Rating Curve +175oC Operating Temperature JED
Другие IGBT... RFD16N03L, RFD16N03LSM, RFD16N05, RFD16N05L, RFD16N05LSM, RFD16N05SM, RFD16N06LE, RFD16N06LESM, IRF540N, RFD3055LE, RFD3055LESM, RFD3055SM, RFD3N08L, RFD3N08LSM, RFD4N06L, RFD4N06LSM, RFD7N10LE
History: FQB34N20LTM | FMP12N50ES | UF640L-T2Q-T | RJU003N03T106
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor



