Справочник MOSFET. R5016FNJ

 

R5016FNJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R5016FNJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
   Тип корпуса: LPTS

 Аналог (замена) для R5016FNJ

 

 

R5016FNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3327K  rohm
 r5016fnj.pdf

R5016FNJ R5016FNJ

R5016FNJDatasheetNch 500V 16A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

 7.1. Size:1194K  rohm
 r5016fnx.pdf

R5016FNJ R5016FNJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 9.1. Size:279K  rohm
 r5016anj.pdf

R5016FNJ R5016FNJ

10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6) P

 9.2. Size:238K  rohm
 r5016anx.pdf

R5016FNJ R5016FNJ

R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8(1)Baseguaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Drive circuit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top