Справочник MOSFET. R6030ENX

 

R6030ENX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6030ENX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM

 Аналог (замена) для R6030ENX

 

 

R6030ENX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:824K  rohm
 r6030enx.pdf

R6030ENX R6030ENX

R6030ENX Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-220FMRDS(on) (Max.)0.130WID30A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) Gate (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6030enx.pdf

R6030ENX R6030ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENXFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:864K  rohm
 r6030enz1.pdf

R6030ENX R6030ENX

R6030ENZ1 Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.130WID30A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 7.2. Size:892K  rohm
 r6030enz.pdf

R6030ENX R6030ENX

R6030ENZ Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-3PFRDS(on) (Max.)0.130WID30A(1) (2) PD120W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 7.3. Size:303K  inchange semiconductor
 r6030enz1.pdf

R6030ENX R6030ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 7.4. Size:265K  inchange semiconductor
 r6030enz.pdf

R6030ENX R6030ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top