R6030ENX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: R6030ENX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
Аналог (замена) для R6030ENX
R6030ENX Datasheet (PDF)
r6030enx.pdf
R6030ENX Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-220FMRDS(on) (Max.)0.130WID30A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) Gate (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea
r6030enx.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENXFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
r6030enz1.pdf
R6030ENZ1 Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.130WID30A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea
r6030enz.pdf
R6030ENZ Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-3PFRDS(on) (Max.)0.130WID30A(1) (2) PD120W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead
Другие MOSFET... R6020ENZ1 , R6020FNJ , R6024ENJ , R6024ENX , R6024ENZ , R6024ENZ1 , R6025FNZ , R6025FNZ1 , IRFB7545 , R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 .
History: CRST060N10N
History: CRST060N10N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement




