Справочник MOSFET. R6046ANZ1

 

R6046ANZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6046ANZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6046ANZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6046ANZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  rohm
 r6046anz1.pdf pdf_icon

R6046ANZ1

R6046ANZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.09WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 6.1. Size:1155K  rohm
 r6046anz.pdf pdf_icon

R6046ANZ1

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046ANZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 9.1. Size:1170K  rohm
 r6046fnz.pdf pdf_icon

R6046ANZ1

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046FNZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 9.2. Size:754K  rohm
 r6046fnz1.pdf pdf_icon

R6046ANZ1

R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.098WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6024ENZ1 , R6025FNZ , R6025FNZ1 , R6030ENX , R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , 2N7002 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 .

History: SST310 | R6515KNJ | RMW200N03 | WMLL010N04LG4 | STU80N4F6 | 2SK3305-ZJ | DG4N65-TO251

 

 
Back to Top

 


 
.