Справочник MOSFET. R6046ANZ1

 

R6046ANZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6046ANZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для R6046ANZ1

 

 

R6046ANZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  rohm
 r6046anz1.pdf

R6046ANZ1 R6046ANZ1

R6046ANZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.09WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 6.1. Size:1155K  rohm
 r6046anz.pdf

R6046ANZ1 R6046ANZ1

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046ANZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 9.1. Size:1170K  rohm
 r6046fnz.pdf

R6046ANZ1 R6046ANZ1

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046FNZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 9.2. Size:754K  rohm
 r6046fnz1.pdf

R6046ANZ1 R6046ANZ1

R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.098WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 9.3. Size:4065K  rohm
 r6046fnzc8.pdf

R6046ANZ1 R6046ANZ1

R6046FNZDatasheetNch 600V 46A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS600VRDS(on)(Max.)93m ID46A PD120W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top