Справочник MOSFET. RF1S9540

 

RF1S9540 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF1S9540
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262AA
 

 Аналог (замена) для RF1S9540

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF1S9540 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  harris semi
 rf1s9540.pdf pdf_icon

RF1S9540

 0.1. Size:99K  fairchild semi
 irf9540 rf1s9540sm.pdf pdf_icon

RF1S9540

IRF9540, RF1S9540SMData Sheet January 200219A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 19A, 100VThese are P-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.200field effect transistors. They are advanced power MOSFETs Single Pulse Avalanche Energy Rateddesigned, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown ava

 8.1. Size:68K  intersil
 irf9530 rf1s9530sm.pdf pdf_icon

RF1S9540

IRF9530, RF1S9530SMData Sheet July 1999 File Number 2221.412A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 12A, 100VThese are P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.300power field effect transistors. They are advanced power Single Pulse Avalanche Energy RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand aspecified level of energy in the

 9.1. Size:103K  fairchild semi
 irf9630 rf1s9630sm.pdf pdf_icon

RF1S9540

IRF9630, RF1S9630SMData Sheet January 20026.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 6.5A, 200VThese are P-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.800field effect transistors. They are advanced power MOSFETs Single Pulse Avalanche Energy Rateddesigned, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , 5N60 , RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN .

History: IRL8114 | STB7NK80ZT4 | WMM07N60C4 | IRFB4310ZPBF | RF4C050AP | 1H10 | SSF6025

 

 
Back to Top

 


 
.