Справочник MOSFET. RF4E070BN

 

RF4E070BN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF4E070BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0286 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4E070BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  rohm
 rf4e070bn.pdf pdf_icon

RF4E070BN

RF4E070BN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)28.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 40.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

 7.1. Size:440K  rohm
 rf4e070gn.pdf pdf_icon

RF4E070BN

RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)21.4mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 8.1. Size:2907K  rohm
 rf4e075at.pdf pdf_icon

RF4E070BN

RF4E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 21.7mID 7.5APD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Hal

 9.1. Size:440K  rohm
 rf4e080bn.pdf pdf_icon

RF4E070BN

RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CS6N65U | H07N65F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SRC60R022FBS | PK6A6BA | IXTF02N450

 

 
Back to Top

 


 
.