Справочник MOSFET. SIS406DN

 

SIS406DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS406DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS406DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  vishay
sis406dn.pdfpdf_icon

SIS406DN

New ProductSiS406DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 1430 PWM OptimizedRoHS0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAP

 9.1. Size:621K  vishay
sis407adn.pdfpdf_icon

SIS406DN

SiS407ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested-20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization: 0.0190 at VGS = -1.8 V -18For definitions o

 9.2. Size:549K  vishay
sis402dn.pdfpdf_icon

SIS406DN

SiS402DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATION

 9.3. Size:531K  vishay
sis407dn.pdfpdf_icon

SIS406DN

New ProductSiS407DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e, f Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mm0.0195 at VGS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: JCS2N70CH | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | 2SK1940-01 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.