SIS406DN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIS406DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
Аналог (замена) для SIS406DN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIS406DN даташит
sis406dn.pdf
New Product SiS406DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 14 30 PWM Optimized RoHS 0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested AP
sis407adn.pdf
SiS407ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested -20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization 0.0190 at VGS = -1.8 V -18 For definitions o
sis402dn.pdf
SiS402DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET 30 12 nC 0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATION
sis407dn.pdf
New Product SiS407DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)e, f Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm 0.0195 at VGS
Другие MOSFET... RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , NCEP15T14 , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN , SIS424DN , SIS426DN .
History: JCS24N50ABH | STW43NM60ND
History: JCS24N50ABH | STW43NM60ND
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet




