SIS406DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIS406DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
SIS406DN Datasheet (PDF)
sis406dn.pdf
New ProductSiS406DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 1430 PWM OptimizedRoHS0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAP
sis407adn.pdf
SiS407ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested-20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization: 0.0190 at VGS = -1.8 V -18For definitions o
sis402dn.pdf
SiS402DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATION
sis407dn.pdf
New ProductSiS407DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e, f Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mm0.0195 at VGS
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918