Справочник MOSFET. SIS438DN

 

SIS438DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIS438DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8

 Аналог (замена) для SIS438DN

 

 

SIS438DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  vishay
 sis438dn.pdf

SIS438DN SIS438DN

New ProductSiS438DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = 10 V TrenchFET Gen III Power MOSFET1620 7.3 nC 100 % Rg Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowe

 9.1. Size:152K  vishay
 sis439dnt.pdf

SIS438DN SIS438DN

SiS439DNTwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package 0.0110 at VGS = - 10 V - 50ewith Small Size and Low 0.75 mm Profile- 30 23 nC0.0195 at VGS= - 4.5 V - 43.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:

 9.2. Size:175K  vishay
 sis435dnt.pdf

SIS438DN SIS438DN

SiS435DNTVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Thin 0.8 mm max. height 100 % Rg and UIS Tested0.0054 at VGS = - 4.5V - 30a Material categorization:0.0060 at VGS = - 3.7 V - 30a- 20 57 nC For definitions of compliance please see 0.0083

 9.3. Size:566K  vishay
 sis436dn.pdf

SIS438DN SIS438DN

New ProductSiS436DNVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0105 at VGS = 10 V TrenchFET Gen III Power MOSFET1625 6.7 nC 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8APPLICATIONS DC/DC Conver

 9.4. Size:311K  vishay
 sis434dn.pdf

SIS438DN SIS438DN

SiS434DNVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3540 12.5 nC 100 % Rg Tested0.0092 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICAT

 9.5. Size:548K  vishay
 sis430dn.pdf

SIS438DN SIS438DN

SiS430DNVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0051 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested25 13 nC 100 % UIS Tested0.0069 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Converter- POLS - Server3.30 mm 3.30 mmD1S2S3G

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top