SIS447DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIS447DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 612 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
SIS447DN Datasheet (PDF)
sis447dn.pdf
SiS447DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.0071 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-20 0.0090 at VGS = -4.5 V -18 a 57.5 nCFor definitions of compliance please see0.0125 at VGS = -2.5 V -18 aww
sis443dn.pdf
SiS443DNVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0117 at VGS = - 10 V - 35d- 40 41.5 nC For definitions of compliance please see0.0160 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONS
sis448dn.pdf
New ProductSiS448DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to
sis444dn.pdf
New ProductSiS444DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.0043 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC35gAPPLICATIONSPowe
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918