SIS476DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIS476DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
SIS476DN Datasheet (PDF)
sis476dn.pdf
New ProductSiS476DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0035 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212
sis472bdn.pdf
SiS472BDNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D7 100 % Rg and UIS testedD65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SSAPPLICATIONS3SD4S1G DC/DC power suppliesTop View Bottom View
sis478dn.pdf
New ProductSiS478DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 10 V 1230 3.6 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 12 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8
sis472dn.pdf
SiS472DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 9.8 nC0.0124 at VGS = 4.5 V 20 Optimized for High-Side SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedPowerPAK 1212-8 100 % UI
sis472adn.pdf
SiS472ADNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) Optimized for High-Side SynchronousRectifier Operation0.0085 at VGS = 10 V 2430 12.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0105 at VGS = 4.5 V 24 Material categorization:For definitions of compliance please see P
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918