Справочник MOSFET. SISA10DN

 

SISA10DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA10DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA10DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA10DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  vishay
 sisa10dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA10DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0037 at VGS = 10 V 30 Material categorization:30 15.4 nC0.0050 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see30www.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa12adn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA12ADNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization:30 13.6 nC0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25www.vishay.com/doc?99912PowerPAK

 9.2. Size:539K  vishay
 sisa14dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

SiSA14DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:30 20 9.4 nC0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONSD

 9.3. Size:577K  vishay
 sisa18dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA18DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization:30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN , AO3407 , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K .

 

 
Back to Top

 


 
.