Справочник MOSFET. SISA10DN

 

SISA10DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA10DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA10DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  vishay
 sisa10dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA10DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0037 at VGS = 10 V 30 Material categorization:30 15.4 nC0.0050 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see30www.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa12adn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA12ADNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization:30 13.6 nC0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25www.vishay.com/doc?99912PowerPAK

 9.2. Size:539K  vishay
 sisa14dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

SiSA14DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:30 20 9.4 nC0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONSD

 9.3. Size:577K  vishay
 sisa18dn.pdf pdf_icon

SISA10DN

New ProductSiSA18DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization:30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: H07N65E | MC11N005 | FDP39N20 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.