Справочник MOSFET. SISA18DN

 

SISA18DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA18DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA18DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  vishay
 sisa18dn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New ProductSiSA18DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization:30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8

 8.1. Size:566K  vishay
 sisa18adn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New ProductSiSA18ADNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization:30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa12adn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New ProductSiSA12ADNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization:30 13.6 nC0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25www.vishay.com/doc?99912PowerPAK

 9.2. Size:539K  vishay
 sisa14dn.pdf pdf_icon

SISA18DN

SiSA14DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:30 20 9.4 nC0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONSD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPT015N10N5 | LNG045R210 | APQ08SN50BH | ELM32407LA | ISCNH340B | HCD7N70S | DMP6023LSS

 

 
Back to Top

 


 
.