SISA18DN - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SISA18DN. Основные параметры


   Наименование производителя: SISA18DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA18DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA18DN даташит

 ..1. Size:577K  vishay
 sisa18dn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New Product SiSA18DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8

 8.1. Size:566K  vishay
 sisa18adn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New Product SiSA18ADN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa12adn.pdf pdf_icon

SISA18DN

New Product SiSA12ADN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization 30 13.6 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK

 9.2. Size:539K  vishay
 sisa14dn.pdf pdf_icon

SISA18DN

SiSA14DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00510 at VGS = 10 V Material categorization 30 20 9.4 nC 0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , IRFZ44N , SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT .

History: 2N7295

 

 

 


 
↑ Back to Top
.