Справочник MOSFET. SIZ918DT

 

SIZ918DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIZ918DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5

 Аналог (замена) для SIZ918DT

 

 

SIZ918DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  vishay
 siz918dt.pdf

SIZ918DT SIZ918DT

New ProductSiZ918DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0120 at VGS = 10 V 16aFor definitions of compliance please seeChannel-1 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V www.vishay.com/doc?9991216a0.0037 at V

 9.1. Size:205K  vishay
 siz910dt.pdf

SIZ918DT SIZ918DT

New ProductSiZ910DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0058 at VGS = 10 V 40a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 12.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.

 9.2. Size:209K  vishay
 siz916dt.pdf

SIZ918DT SIZ918DT

New ProductSiZ916DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0064 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.0100 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999

 9.3. Size:199K  vishay
 siz914dt.pdf

SIZ918DT SIZ918DT

SiZ914DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.00640 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.01000 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999120.00137 at

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top