AP9915H - описание и поиск аналогов

 

AP9915H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9915H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9915H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9915H даташит

 ..1. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9915H

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 8.1. Size:95K  ape
 ap9915gk.pdf pdf_icon

AP9915H

AP9915GK Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 6.2A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G l

 9.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9915H

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:81K  ape
 ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9915H

AP9918GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SKI07074 , SKI07114 , SKI07171 , SKI10123 , SKI10195 , SKI10297 , SW1N55D , AON7430L , 20N60 , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A , ITA08N65R , ME15N10G .

History: FHD4N65B | 2SK1928 | 2SK1330 | RFL1N10 | 2SK1831

 

 

 

 

↑ Back to Top
.