HY4008A - аналоги и даташиты транзистора

 

HY4008A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY4008A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 397 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HY4008A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4008A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3615K  hymexa
 hy4008w hy4008a.pdf pdf_icon

HY4008A

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

 8.1. Size:3615K  hymexa
 hy4008.pdf pdf_icon

HY4008A

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

 8.2. Size:4866K  hymexa
 hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf pdf_icon

HY4008A

HY4008P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10VS D S100% avalanche testedD GG SD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

 8.3. Size:671K  hymexa
 hy4008b6.pdf pdf_icon

HY4008A

HY4008B6N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 80V/255ARDS(ON)= 2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive Pin2,3,5,6,7 N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SW1N55D , AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , IRFP460 , ITA08N65R , ME15N10G , MMF80R650P , NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N .

 

 
Back to Top

 


 
.