SW4N70B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SW4N70B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-251
SW4N70B Datasheet (PDF)
sw4n70b.pdf
SAMWIN SW4N70B N-channel TO-220F /I-PAK MOSFET BVDSS : 700V Features TO-220F TO-251 ID : 4.0A High ruggedness RDS(ON) : 2.8 RDS(ON) (Max 2.8 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced
sw4n70k.pdf
SAMWIN SW4N70K N-channel TO-251,TO-252 MOSFET TO-251 TO-252 Features BVDSS : 700V ID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Max1.3)@VGS=10V RDS(ON) :1.3 Gate Charge (Typical 13nC) 1 Improved dv/dt Capability 1 2 2 3 3 100% Avalanche Tested 2 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf
SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
