Справочник MOSFET. OSG55R190FF

 

OSG55R190FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: OSG55R190FF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 550 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17.7 nC

Время нарастания (tr): 6.7 ns

Выходная емкость (Cd): 125.9 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG55R190FF

 

 

OSG55R190FF Datasheet (PDF)

1.1. osg55r190af osg55r190df osg55r190ff osg55r190pf.pdf Size:1119K _update-mosfet

OSG55R190FF
OSG55R190FF

OSG55R190xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications  Low R & FOM  Lighting DS(on)  Extremely low switching loss  Hard switching PWM  Excellent stability and uniformity  Server power supply  Easy to drive  Charger OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET  Genera

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top