Справочник MOSFET. OSG55R190FF

 

OSG55R190FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: OSG55R190FF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 550 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17.7 nC

Время нарастания (tr): 6.7 ns

Выходная емкость (Cd): 125.9 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG55R190FF

 

 

OSG55R190FF Datasheet (PDF)

1.1. osg55r190af osg55r190df osg55r190ff osg55r190pf.pdf Size:1119K _update-mosfet

OSG55R190FF
OSG55R190FF

OSG55R190xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications  Low R & FOM  Lighting DS(on)  Extremely low switching loss  Hard switching PWM  Excellent stability and uniformity  Server power supply  Easy to drive  Charger OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET  Genera

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top