JCS4N60R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4N60R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS4N60R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4N60R даташит

 ..1. Size:1304K  jilin sino
 jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60R

 ..2. Size:1259K  jilin sino
 jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60R

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

 0.1. Size:1019K  1
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60R

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60R

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU7088R3, PTP04N04N, OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF, MDU2657, JCS4N60V, IRFP460, JCS4N60S, JCS4N60B, JCS4N60C, JCS4N60F, CMP1405, CMB1405, UPA2701GR, UPA2702GR