UPA2752GR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UPA2752GR 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для UPA2752GR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
UPA2752GR даташит
upa2752gr.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
upa2757gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2757GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect 8 5 Transistors designed for switching application. 1 Source 1 2 Gate 1 7, 8 Drain 1 FEATURES 3 Source 2 4 Gate 2 Low on-state resistance 5, 6 Drain 2 RDS(on)1 = 36.0 m MAX. (VGS = 10
upa2753gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2753GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2753GR is Dual N-Channel MOS Field Effect 8 5 Transistor designed for DC/DC converters and power 1 ; Source 1 management applications of notebook computers. 2 ; Gate 1 7, 8 ; Drain 1 3 ; Source 2 FEATURES 4 ; Gate 2 Dual chip type 5,
upa2756gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2756GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2756GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for switching applications. 8 5 1 Source 1 2 Gate 1 FEATURES 7, 8 Drain 1 3 Source 2 Low on-state resistance 4 Gate 2 RDS(on)1 = 105 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0
Другие IGBT... UPA2736GR, UPA2737GR, UPA2738GR, UPA2739T1A, UPA2742GR, UPA2743T1A, UPA2750GR, UPA2751GR, IRFP250, UPA2753GR, UPA2754GR, UPA2755AGR, UPA2755GR, UPA2756GR, UPA2757GR, UPA2761UGR, UPA2762UGR
History: AFN7002KAS | DMG7401SFG | DMG6301UDW | IRF9Z20PBF | PDN3914S | AFN6018S | SSM6N57NU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent









