UPA2757GR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UPA2757GR 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для UPA2757GR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
UPA2757GR даташит
upa2757gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2757GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect 8 5 Transistors designed for switching application. 1 Source 1 2 Gate 1 7, 8 Drain 1 FEATURES 3 Source 2 4 Gate 2 Low on-state resistance 5, 6 Drain 2 RDS(on)1 = 36.0 m MAX. (VGS = 10
upa2753gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2753GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2753GR is Dual N-Channel MOS Field Effect 8 5 Transistor designed for DC/DC converters and power 1 ; Source 1 management applications of notebook computers. 2 ; Gate 1 7, 8 ; Drain 1 3 ; Source 2 FEATURES 4 ; Gate 2 Dual chip type 5,
upa2756gr.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR PA2756GR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The PA2756GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for switching applications. 8 5 1 Source 1 2 Gate 1 FEATURES 7, 8 Drain 1 3 Source 2 Low on-state resistance 4 Gate 2 RDS(on)1 = 105 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0
upa2751gr.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие IGBT... UPA2750GR, UPA2751GR, UPA2752GR, UPA2753GR, UPA2754GR, UPA2755AGR, UPA2755GR, UPA2756GR, SI2302, UPA2761UGR, UPA2762UGR, UPA2763, UPA2764T1A, UPA2765T1A, UPA2766T1A, UPA2770GR, UPA2780GR
History: IXTQ40N50L2 | IXTU4N60P | IXTT88N30P | PDD3908 | UPA2753GR | MTA340N02KC3 | SI7114ADN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40









