Справочник MOSFET. UPA603CT

 

UPA603CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UPA603CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: SC-74

 Аналог (замена) для UPA603CT

 

 

UPA603CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  renesas
 upa603ct.pdf

UPA603CT UPA603CT

Preliminary Data Sheet PA603CT R07DS1283EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA603CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

 9.1. Size:165K  renesas
 upa602ct.pdf

UPA603CT UPA603CT

Preliminary Data Sheet PA602CT R07DS1282EJ0200Rev.2.00N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA602CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top