Справочник MOSFET. US5U38

 

US5U38 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: US5U38

Маркировка: U38

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 20 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.39 Ohm

Тип корпуса: TUMT5

Аналог (замена) для US5U38

 

 

US5U38 Datasheet (PDF)

1.1. us5u38.pdf Size:106K _rohm

US5U38
US5U38

US5U38 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U38 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U38 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (2.5V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward volt

5.1. us5u3.pdf Size:65K _rohm

US5U38
US5U38

US5U3 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol

5.2. us5u35.pdf Size:101K _rohm

US5U38
US5U38

US5U35 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET US5U35 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 Features 1.3 1) The US5U35 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) With fast switching. 3) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Abbreviated symbol : U35 Applications Swi

 5.3. us5u30.pdf Size:76K _rohm

US5U38
US5U38

US5U30 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U30 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward v

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top