US5U38 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: US5U38
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
Тип корпуса: TUMT5
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
US5U38 Datasheet (PDF)
us5u38.pdf

US5U38 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U38 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.01.3 Features 1) The US5U38 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (2.5V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward volt
us5u30.pdf

US5U30 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U30 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.01.3 Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward v
us5u35.pdf

US5U35 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET US5U35 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.0 Features 1.31) The US5U35 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) With fast switching. 3) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Abbreviated symbol : U35 Applications Swi
us5u3.pdf

US5U3 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SQ3427EV | STB18NF25 | WMM95P06TS | NTMD6P02R2 | IGLD60R190D1 | HAT1146C | NP48N055NHE
History: SQ3427EV | STB18NF25 | WMM95P06TS | NTMD6P02R2 | IGLD60R190D1 | HAT1146C | NP48N055NHE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor