SSM60T03J - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM60T03J - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM60T03J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SSM60T03J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM60T03J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  silicon standard
 ssm60t03h ssm60t03j.pdf pdf_icon

SSM60T03J

 6.1. Size:617K  silicon standard
 ssm60t03gh ssm60t03gj.pdf pdf_icon

SSM60T03J

SSM60T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM60T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 12msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 45AD The SSM60T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

 6.2. Size:385K  silicon standard
 ssm60t03gp ssm60t03gs.pdf pdf_icon

SSM60T03J

SSM60T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 12mFast switching ID 45AGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM60T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface-mount applications. This device is TO-263 (S)suitable for low-voltage applications such as DC

Другие MOSFET... APM3009NG , APM3009NU , APM3023NU , APM3023NV , APM3023NF , SI4834BDY , SI4856DY , SSM60T03H , 2N7000 , EC4406C , EC4407KF , ECH8302 , ECH8304 , ECH8305 , ECH8306 , ECH8402 , ECH8411 .

History: 60N08 | CS4N80P | RU1H130Q | SSM5N05FU | CS4N80F | BUK964R2-80E | PJF7NA80

 

 
Back to Top

 


 
.