Справочник MOSFET. ECH8302

 

ECH8302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  sanyo
 ech8302.pdf pdf_icon

ECH8302

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

 8.1. Size:36K  sanyo
 ech8304.pdf pdf_icon

ECH8302

Ordering number : ENN8255ECH8304P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8304ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 9 VDrain Current (DC) ID

 8.2. Size:36K  sanyo
 ech8305.pdf pdf_icon

ECH8302

Ordering number : ENN8145 ECH8305P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8305ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --4 ADrain Current (Pulse) IDP PW1

 8.3. Size:36K  sanyo
 ech8306.pdf pdf_icon

ECH8302

Ordering number : ENA0302 ECH8306SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8306ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APM3023NV , APM3023NF , SI4834BDY , SI4856DY , SSM60T03H , SSM60T03J , EC4406C , EC4407KF , SPP20N60C3 , ECH8304 , ECH8305 , ECH8306 , ECH8402 , ECH8411 , ECH8690 , ECH8693R , ECH8695R .

History: AFN8205 | IXTY1R6N50D2 | MMP2311 | HFP6N70U | 1N65L-T92-B | PHB225NQ04T | AFP4535

 

 
Back to Top

 


 
.