Справочник MOSFET. EFC6604R

 

EFC6604R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC6604R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: EFCP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC6604R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  onsemi
efc6604r.pdfpdf_icon

EFC6604R

Ordering number : ENA2204A EFC6604R N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 13A, 9.0m, Dual EFCP Features 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBM Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions R

 8.1. Size:226K  onsemi
efc6601r.pdfpdf_icon

EFC6604R

Ordering number : ENA2151AEFC6601RN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com24V, 13A, 11.5m , Dual EFCPFeatures 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBMSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitSource-to-Source Voltage VSSS 24 VGate-to-Source Voltage VGSS

 8.2. Size:338K  onsemi
efc6605r.pdfpdf_icon

EFC6604R

Ordering number : ENA2302 EFC6605R N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 20V, 10A, 13.3m, Dual EFCP Features 2.5V drive Common-drain type Protection diode in 2KV ESD HBM Halogen free compliance Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions V

 8.3. Size:225K  onsemi
efc6602r.pdfpdf_icon

EFC6604R

Ordering number : ENA2152AEFC6602RN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com12V, 18A, 5.9m , Dual EFCPFeatures 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBMSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitSource-to-Source Voltage VSSS 12 VGate-to-Source Voltage VGSS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HGB023NE6A | SMF10N65 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | NCE2323 | HGB200N10SL | AM2323P

 

 
Back to Top

 


 
.