EFC6604R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: EFC6604R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1200 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: EFCP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
EFC6604R Datasheet (PDF)
efc6604r.pdf

Ordering number : ENA2204A EFC6604R N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 13A, 9.0m, Dual EFCP Features 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBM Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions R
efc6601r.pdf

Ordering number : ENA2151AEFC6601RN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com24V, 13A, 11.5m , Dual EFCPFeatures 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBMSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitSource-to-Source Voltage VSSS 24 VGate-to-Source Voltage VGSS
efc6605r.pdf

Ordering number : ENA2302 EFC6605R N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 20V, 10A, 13.3m, Dual EFCP Features 2.5V drive Common-drain type Protection diode in 2KV ESD HBM Halogen free compliance Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions V
efc6602r.pdf

Ordering number : ENA2152AEFC6602RN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com12V, 18A, 5.9m , Dual EFCPFeatures 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBMSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitSource-to-Source Voltage VSSS 12 VGate-to-Source Voltage VGSS
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: HGB023NE6A | SMF10N65 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | NCE2323 | HGB200N10SL | AM2323P
History: HGB023NE6A | SMF10N65 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | NCE2323 | HGB200N10SL | AM2323P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent