EKI04036. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKI04036

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKI04036

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI04036 даташит

 ..1. Size:246K  sanken-ele
 eki04036.pdf pdf_icon

EKI04036

40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04036 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 eki04036.pdf pdf_icon

EKI04036

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI04036 FEATURES Drain Current I =80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 8.1. Size:246K  sanken-ele
 eki04027.pdf pdf_icon

EKI04036

40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04027 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate

 8.2. Size:246K  sanken-ele
 eki04047.pdf pdf_icon

EKI04036

40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04047 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... EFC6605R, EFC6611R, EFC6611R-TF, EFC6612R, EFC6612R-TF, EKG1020, EKH06100, EKI04027, 10N65, EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076, EKI07117, EKI07174, EKI10126