Справочник MOSFET. EKI07174

 

EKI07174 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EKI07174
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0141 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI07174 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  sanken-ele
eki07174.pdfpdf_icon

EKI07174

75 V, 46 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07174 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 46 A D RDS(ON) -------- 14.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A) Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A) Low Total Gate

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
eki07174.pdfpdf_icon

EKI07174

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07174FEATURESDrain Current I =46A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 8.1. Size:246K  sanken-ele
eki07117.pdfpdf_icon

EKI07174

75 V, 62 A, 7.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07117 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 62 A D RDS(ON) ---------- 9.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A) Qg ------25.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A) Low Total Gate

 8.2. Size:250K  inchange semiconductor
eki07117.pdfpdf_icon

EKI07174

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07117FEATURESDrain Current I =62A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SE8810 | TSF10N60M | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 60N06G-TA3-T | SSS4N60 | BUZ355

 

 
Back to Top

 


 
.